Испанские и британские ученые предложили новый материал для производства флеш-памяти. Благодаря этому можно существенно повысить объемы записываемой информации и еще больше уменьшить размеры носителей. Результаты исследования были опубликованы в журнале Nature.

Авторы исследования предлагают заменить полупроводниковую структуру, применяемую в производстве микросхем (МОП-структуру), на кластеры полиоксометаллатов. В ходе опытов ученым уже удалось добиться успешного встраивания этих кластеров в флеш-память.

Сутью эксперимента стала идея модификации оксидного слоя МОП-структуры путем добавления в нее наноразмерных полиоксометаллатов.

Полиоксометаллаты – это группа металлооксидных соединений кластерного типа, содержащих десятки или даже сотни атомов переходных металлов и кислорода. Они часто выступают катализатором благодаря низкой чувствительности к присутствию окислителей.