Корпорация Toshiba приступила к строительству нового цеха по производству флеш-памяти на заводе в префектуре Миэ, Япония, принадлежащего совместному предприятию Toshiba и SanDisk. Событию предшествовала специальная церемония.

В новом цеху планируется производить флеш-память типа NAND, используемой в современной потребительской электронике и корпоративных накопителях, а также флеш-память с многоуровневой структурой (так называемую 3D-память).

В компании считают, что спрос на 3D-память в ближайшие годы существенно возрастет. Расширение производства выполняется в "соответствии с рыночными реалиями", для сохранения конкурентоспособности и прочных позиций Toshiba на мировом рынке.

Согласно IHS iSuppli, в 2012 г. доля Toshiba на мировом рынке флеш-памяти составила 31% (второе место после Samsung с долей 37%).

В конце 2012 года Toshiba продемонстрировала прототип микросхемы памяти с 16 слоями, соединенными вертикальными проводниками диаметром 50 нм.

Новый цех Fab 5 будет построен таким образом, чтобы влияние на окружающую среду было минимальным, заявили в Toshiba. Планируется использование вторичных энергоресурсов и энергоэффективного светодиодного освещения.

Архитекторы рассчитывают, что объем выбросов парниковых газов в результате работы нового цеха будут на 13% меньше в сравнении с показателем Fab 4. Кроме того, площадку планируется оснастить защитой от землетрясений.

Завершить строительство нового цеха компания планирует летом 2014 г., а приступить к массовому производству 3D-памяти в 2015 году.

Toshiba станет не первой компанией, которая приступит к массовому производству многоуровневой памяти. В начале августа Samsung также объявила о начале массового производства новых чипов флеш-памяти NAND емкостью 16 Гб. В новых микросхемах впервые в промышленных масштабах реализована технология размещения ячеек в объемной структуре 3D V-NAND.

В Samsung утверждают, что 3D V-NAND позволяет добиться 8-кратного увеличения емкости: например, оснастить ноутбук не 128 Гб памяти, а 1 Тб.