Созданный специалистами Toshiba прототип элемент памяти STT-MRAM (магниторезистивная память, в которой используется эффект передачи момента спина), по словам разработчика, имеет рекордно низкое энергопотребление. Вкупе с другими достоинствами, это позволяет рассматривать STT-MRAM в качестве потенциальной замены памяти типа SRAM в кэш-памяти процессоров.

Пока SRAM не имеет альтернатив в этой области, но по мере роста требований к производительности растет и ее энергопотребление - как в режиме ожидания, так и активном режиме.

Будучи энергонезависимой памятью, MRAM совсем не потребляет энергию в режиме ожидания. Однако до настоящего момента энергопотребление в активном режиме было выше, чем у SRAM, что было основным препятствием на пути к ее практическому применению.

Как утверждается, специалистам Toshiba удалось уменьшить энергопотребление на 90%. Примечательно, что одновременно удалось повысить быстродействие и уменьшить размер элемента памяти.

Моделирование показало, что замена в кэш-памяти «стандартного мобильного процессора» памяти SRAM на новую память STT-MRAM приведет к снижению энергопотребления на две трети. Неудивительно, что целью разработчиков названа интеграция STT-MRAM в процессоры для смартфонов и планшетов. Когда можно ожидать появления процессоров с кэш-памятью типа STT-MRAM, источник не сообщает.