Корейская Samsung Electronics, крупнейший мировой производитель компьютерной памяти, сегодня сообщила о разработке графенового устройства, способного в будущем значительно расширить возможности транзисторов в микрочипах, сообщает The Jakarta Post.

Институт технологий Samsung сегодня заявил о создании первого в мире трехмерного активного устройства с переменным графеновым барьером, способным эффективно блокировать электричество в современных транзисторах.

Графен представляет собой суперстойкий, но в то же время гибкий материал, который, скорее всего, станет основой для будущих электронных устройств, полупроводников и дисплеев. До сих пор именно невозможность блокировки электрического тока была основным препятствием, делавшим использование графеновых транзисторов невозможным.

"Если эксперименты с графеновым устройством завершатся успешно, то технику, использованную в данной разработке, можно будет использовать для транзисторов, способных увеличить вычислительные возможности устройств в сотню раз", - сообщили в институте.

В Samsung говорят, что подробности о технической инновации были опубликованы в последнем номере научного журнала Science, а сама разработка уже получила девять патентов. В заявлении южнокорейского производителя говорится, что компания продолжит инвестиции в разработку графеновых технологий, так как считает это направление перспективным и уверена, что графен станет будущим базисом для следующих поколений электроники.

Сегодня же компания сообщила о начале производства 20-нанометровых модулей памяти формата LPDDR2 для ноутбуков и мобильных устройств. Толщина готовых модулей составляет всего 8 мм, что на 20% меньше, чем у предыдущих 30-нанометровых LPDDR2 чипов.