Команда разработчиков из Массачусетского Института Технологий (MIT) сообщили, что ими найден способ уменьшить размеры элементов в полупроводниках. Сегодня производители микросхем используют метод фотолитографии, который позволяет создавать элементы, размер которых больше, чем длина волны света, который применяется в технологии. Учёные из MIT нашли способ обойти и это ограничение.

Технологический процесс, который описан в документе «Преодоление ограничений дифракции Фраунгофера в создании наноузлов оптическим методом с помощью повторяющейся фотохимической и электрохимической передачи в фотохромных молекулах», позволяет создать сложные структуры микросхем, размер которых равен 1/8 длины волны использованного света. Как утверждают учёные, эффект, называемый созданием изображений с помощью принудительной эмиссии (STED), позволит им перейти границы ограничений, накладываемых фотолитографией. В методе STED учёные усиливают флюоресцентные характеристики материалов, чтобы эмитировать свет под действием лазерного луча. Контролируя мощность лазера, исследователи могут воздействовать на эмиссию света, и если приложить достаточную мощность, то на участке появится тёмное пятно, которое меньше длины волны использованного лазера. Эти тёмные пятна могут быть использованы как маски, которые можно наложить на поверхность.

Исследователи MIT уверены, что их изобретение может быть использовано в создании полупроводников, которые будут иметь более мелкую и точную структуру, чем это возможно сегодня. Также, по словам MIT, его также можно использовать в фотонных устройствах.