В Samsung объявили о выпуске первых модулей памяти типа DDR4 DRAM на базе техпроцесса в 30 нм. В компании утверждают, что новая память обеспечивает существенный прирост в производительности и энергосбережении в сравнении с памятью предыдущего поколения. Скорость обмена данными составляет 2,13 Гбит/с при 1,2 В. При более высоком напряжении возможна скорость до 3,2 Гбит/с.

При использовании в ноутбуках модули DDR4 позволяют using Samsung Search снизить общий уровень потребления энергии на 40% в сравнении с 1,5-вольтовым модулем DDR3.

Сейчас DDR4-модули тестируются, точная дата поступления в продажу пока не называется.