|
Железо →
Специалисты Toshiba создали элемент памяти STT-MRAM с самым маленьким в мире энергопотреблением
Созданный специалистами Toshiba прототип элемент памяти STT-MRAM (магниторезистивная память, в которой используется эффект передачи момента спина), по словам разработчика, имеет рекордно низкое энергопотребление. Вкупе с другими достоинствами, это позволяет рассматривать STT-MRAM ... Читать далее →
|
|
Статистика и аналитика →
Роснано вкладывает средства в американского производителя памяти MRAM
Деловое издание Wall Street Journal сообщает, что американское представительство госкорпорации "Роснано" совместно с одним из калифорнийских стартапов создают совместное предприятие, стоимостью около 300 млн долларов. СП должно будет заняться производством современных решений ... Читать далее →
|
|
Читать далее →
|
|
|
Читать далее →
|
|
|
Читать далее →
|
|
|
Читать далее →
|
|
|
Читать далее →
|
|
|
Читать далее →
|
|
|
Читать далее →
|
|
|
Читать далее →
|
|
|
Читать далее →
|
|
|
Читать далее →
|
|
|
Читать далее →
|
|
|
Читать далее →
|
|
|
Читать далее →
|
