|
Статистика и аналитика →
Western Digital купит Sandisk за 19 миллиардов долларов 0
Суперсделку по покупке EMC компанией Dell за 67 миллиардов долларов в ближайшее время IT-компаниям будет сложно перебить, однако сегодняшнее объявление также в топе громких событий. Western Digital, крупнейший производитель накопителей информации, покупает одного из крупнейших производителей ... Читать далее →
|
|
Статистика и аналитика →
Разработан метод атаки на уязвимость в DRAM-памяти с использованием JavaScript
Группа исследователей из Корнелльского университета (США) разработала технику проведения атаки с использованием уязвимости RowHammer в современных чипах памяти DRAM, примечательную необходимостью запуска только высокоуровневого кода на языке JavaScript. При помощи нового метода атака ... Читать далее →
|
|
Железо →
3D XPoint - революционная разработка Intel, позволяющая сделать диски до 1000 раз быстрее
Компании Intel и Micron сообщили о завершении разработки нового класса памяти 3D XPoint. Создатели утверждают, что это первый серьезный прорыв с 1989 года, когда появилась NAND-память . Новая технология позволяет сделать накопители до 1000 раз быстрее, до 1000 раз выносливее и гораздо компактнее ... Читать далее →
|
|
|
Железо →
Ученые: молекулы существенно увеличат емкость флеш-памяти
Испанские и британские ученые предложили новый материал для производства флеш-памяти. Благодаря этому можно существенно повысить объемы записываемой информации и еще больше уменьшить размеры носителей. Результаты исследования были опубликованы в журнале Nature. Авторы исследования ... Читать далее →
|
|
Софт →
Facebook открыл код NoSQL БД RocksDB, оптимизированной для Flash-накопителей
Компания Facebook объявила об открытии исходных текстов проекта RocksDB, в рамках которого развивается система для хранения данных в формате ключ/значение, рассчитанная на использование на Flash-накопителях. Код RocksDB написан на языке С++ и распространяется под лицензией BSD. В качестве ... Читать далее →
|
|
Железо →
Toshiba запустила производство флеш-памяти нового типа
Корпорация Toshiba приступила к строительству нового цеха по производству флеш-памяти на заводе в префектуре Миэ, Япония, принадлежащего совместному предприятию Toshiba и SanDisk. Событию предшествовала специальная церемония. В новом цеху планируется производить флеш-память типа ... Читать далее →
|
|
Железо →
IBM дала $1 млрд на революцию во флэш-памяти
IBM вложит $1 млрд в разработку и создание флэш-памяти для центров обработки данных. Деньги пойдут, в том числе, на открытие 12 исследовательских центров, в которых потенциальные клиенты смогут опробовать новую технологию на реальных примерах. Корпорация IBM объявила о намерении ... Читать далее →
|
|
|
Железо →
Специалисты Toshiba создали элемент памяти STT-MRAM с самым маленьким в мире энергопотреблением
Созданный специалистами Toshiba прототип элемент памяти STT-MRAM (магниторезистивная память, в которой используется эффект передачи момента спина), по словам разработчика, имеет рекордно низкое энергопотребление. Вкупе с другими достоинствами, это позволяет рассматривать STT-MRAM ... Читать далее →
|
|
Железо →
В 2013 году производители флеш-памяти NAND начнут переходить на новый техпроцесс
Производители чипов флеш-памяти NAND готовятся к переходу на новый 16-нм техпроцесс в 2013 году, сообщил Digitimes. Однако график массового производства по узлу, скорее всего, будет отложен на более поздний срок ввиду возникших трудностей с выработкой. По сравнению с предыдущим переходом ... Читать далее →
|
|
Железо →
Samsung начала выпуск модулей мобильной памяти нового поколения
Компания Samsung объявила о начале массового производства первых в отрасли модулей памяти LPDDR3 вместимостью 2 Гб, при изготовлении которых применяется 30-нанометровая технология, пишет Phys. Память LPDDR3 (Low Power Double-Data-Rate 3) предназначена для использования в различных портативных устройствах ... Читать далее →
|
|
Железо →
Micron начала производство памяти нового типа для мобильных устройств
Впервые стартовал серийный выпуск фазовой памяти. Предназначенная для мобильных телефонов, она является лишь первым продуктом в портфеле Micron Technology. В будущем компания планирует наладить выпуск фазовой памяти для более сложных устройств. Micron Technology объявила о том, что первой ... Читать далее →
|
|
|
Железо →
Micron сообщила о создании своего первого модуля памяти DDR4
Компания Micron Technology объявила о создании своего первого "полнофункционального" модуля памяти DRAM DDR4. Производитель начал поставки ознакомительных образцов и получил отзывы от крупных заказчиков, что должно помочь быстрому внедрению новинки в 2013 году. Ожидается, что рынки ... Читать далее →
|
|
|
Железо →
Ученые создали память для прозрачных устройств будущего
Ученые из американского Университета Райса объявили о завершении разработки гибкого прозрачного чипа памяти. По их словам, такую память можно будет применять в устройствах будущего, которые смогут легко трансформироваться и менять форму. Джемс Тур (James Tour), химик из Университета ... Читать далее →
|
|
|
Железо →
IBM показала прототип новой пямяти Racetrack Memory
Корпорация IBM сегодня сообщила о производстве прототипа новой энергонезависимой памяти, которая будет работать значительно быстрее существующих сейчас аналогов. Новинка, получившая название Racetrack Memory, во многом использует те же технологии, что нынешние кремниевые чипы ... Читать далее →
|
|
|
Статистика и аналитика →
Компьютерная память станет в 10 раз быстрее
Micron и IBM планируют совершить революцию на рынке оперативной памяти, приступив к коммерческому производству первых 3D-чипов в ближайшие 2 года. Ожидается, что новая память обеспечит 10-кратный прирост скорости. Американская компания Micron Technology объявила о намерении приступить ... Читать далее →
|
